BS EN 62374-2007 半导体装置.依赖时间的栅极介电薄膜的介质击穿(TDDB)试验

作者:标准资料网 时间:2024-05-15 02:10:51  浏览:9552   来源:标准资料网

【英文标准名称】:Semiconductordevices-Timedependentdielectricbreakdown(TDDB)testforgatedielectricfilms
【原文标准名称】:半导体装置.依赖时间的栅极介电薄膜的介质击穿(TDDB)试验
【标准号】:BSEN62374-2007
【标准状态】:作废
【国别】:英国
【发布日期】:2008-10-31
【实施或试行日期】:2008-10-31
【发布单位】:英国标准学会(GB-BSI)
【起草单位】:BSI
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:击穿;检验设备;组件;定义;介质;电气工程;电子设备及元件;外壳;故障;大门;热室;寿命;测量技术;半导体器件;应力;测试;测试装置;依赖时间的;电压;电压应力
【英文主题词】:Breakdown;Checkingequipment;Components;Definition;Definitions;Dielectric;Electricalengineering;Electronicequipmentandcomponents;Enclosures;Failure;Gates;Heatingchamber;Life(durability);Measuringtechniques;Semiconductordevices;Stress;Testing;Testingdevices;Time-dependent;Voltage;Voltagestress
【摘要】:ThisInternationalStandardprovidesatestmethodofTimeDependentDielectricBreakdown(TDDB)forgatedielectricfilmsonsemiconductordevicesandaproductlifetimeestimationmethodofTDDBfailure.
【中国标准分类号】:L40
【国际标准分类号】:31_080_01
【页数】:24P.;A4
【正文语种】:英语